İş inovasyonunu en üst düzeye çıkararak iş potansiyelinizi ortaya çıkarıyoruz.
Eposta GönderGalyum Oksit, Galyum Trioksit, Gallium Oxide, Gallium Trioxide, 12024-21-4
GALYUM OKSİT (GA₂O₃)
GALLIUM OXIDE / GALLIUM TRIOXIDE / GALLIUM(III) OXIDE
1. ÜRÜN TANIMI VE KİMYASAL KİMLİK
| Parametre | Bilgi |
|---|---|
| Ürün Adı | Galyum Oksit |
| Kimyasal Adı | Galyum(III) Oksit, Galyum Trioksit |
| Diğer İsimleri | Ga₂O₃ |
| CAS Numarası | 12024-21-4 |
| EC Numarası (EINECS) | 234-953-2 |
| Kimyasal Formül | Ga₂O₃ |
| Moleküler Ağırlık | 187.44 g/mol |
| Görünüm | Beyaz kristal toz |
| Koku | Kokusuz |
| Fiziksel Hal (20°C) | Katı (toz) |
2. KİMYASAL YAPI
2.1. Moleküler Yapı
Galyum oksit, galyum ve oksijenin oluşturduğu bir inorganik bileşiktir. Galyum iyonları (Ga³⁺) ve oksit iyonları (O²⁻) 2:3 oranında bulunur. Geniş bant aralığına sahip bir yarı iletkendir (~4.9 eV). Çeşitli polimorfik formları mevcuttur (α, β, γ, δ, ε). Yüksek termal kararlılık, optik şeffaflık ve kimyasal inertlik ile bilinir. Suda çözünmez ancak kuvvetli asitlerde çözünür.
Yapısal Özellikler:
GALYUM OKSİT [Ga₂O₃]
|
Ga³⁺ - O²⁻ İyonik Bağlar
|
+----------------+----------------+
| | |
Polimorfik Beyaz Toz Geniş Bant
Yapı Formu Aralığı (~4.9 eV)
2.2. Yapısal Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Kristal Yapı | Polimorfik (α, β, γ, δ, ε formları) |
| Kimyasal Formül | Ga₂O₃ |
| Moleküler Ağırlık | 187.44 g/mol |
| Yoğunluk | ~6.44 g/cm³ |
| Görünüm | Beyaz kristal toz |
| Erime Noktası | ~1,725 °C |
| Bant Aralığı | ~4.9 eV (β formu) |
| Dielektrik Sabiti | ~10.2 |
3. FİZİKSEL VE KİMYASAL ÖZELLİKLER
| Özellik | Değer | Açıklama |
|---|---|---|
| Görünüm | Beyaz kristal toz | Saflığa bağlı olarak renk tonu değişir |
| Koku | Kokusuz | - |
| Kimyasal Formül | Ga₂O₃ | - |
| Moleküler Ağırlık | 187.44 g/mol | - |
| Yoğunluk | ~6.44 g/cm³ | - |
| Erime Noktası | ~1,725 °C | - |
| Suda Çözünürlük (25°C) | Çözünmez | - |
| Asitlerde Çözünürlük | Çözünür | Galyum tuzlarını oluşturur |
| Alkolde Çözünürlük | Çözünmez | - |
| Kristal Yapı | Polimorfik | - |
| Bant Aralığı | ~4.9 eV | Geniş bant aralıklı yarı iletken |
| Optik Şeffaflık | UV ışığına karşı şeffaf | UV optoelektronik uygulamalar |
| Termal Kararlılık | Yüksek | - |
| Higroskopiklik | Düşük | - |
4. SAFLIK DERECELERİ
| Parametre | Teknik Sınıf | Yüksek Saflık Sınıfı | Analitik Sınıf | Ultra Yüksek Saflık Sınıfı |
|---|---|---|---|---|
| Saflık (Ga₂O₃) | ≥ %99.0 | ≥ %99.9 | ≥ %99.99 | ≥ %99.999 |
| Galyum (Ga) İçeriği | ≥ %73.0 | ≥ %73.5 | ≥ %73.7 | ≥ %73.9 |
| Demir (Fe) | ≤ 100 ppm | ≤ 50 ppm | ≤ 20 ppm | ≤ 10 ppm |
| Kalsiyum (Ca) | ≤ 100 ppm | ≤ 50 ppm | ≤ 20 ppm | ≤ 10 ppm |
| Silisyum (Si) | ≤ 100 ppm | ≤ 50 ppm | ≤ 20 ppm | ≤ 10 ppm |
| Ağır Metaller (Pb) | ≤ 50 ppm | ≤ 20 ppm | ≤ 10 ppm | ≤ 5 ppm |
| Klorür (Cl⁻) | ≤ 0.1% | ≤ 0.05% | ≤ 0.02% | ≤ 0.01% |
| Kurutma Kaybı | ≤ 1.0% | ≤ 0.5% | ≤ 0.3% | ≤ 0.1% |
| Partikül Boyutu (D50) | 5-20 µm | 1-10 µm | 0.5-5 µm | 0.2-2 µm |
| BET Yüzey Alanı | 5-15 m²/g | 10-20 m²/g | 15-30 m²/g | 20-50 m²/g |
5. KARARLILIK VE REAKTİVİTE
| Parametre | Bilgi |
|---|---|
| Kimyasal Kararlılık | Havada kararlıdır; yüksek sıcaklıklarda kararlıdır. |
| Kaçınılması Gereken Koşullar | Kuvvetli asitler, yüksek nem (uzun süreli), indirgeyici ortamlar. |
| Uyumsuz Maddeler | Kuvvetli asitler, güçlü indirgeyiciler, halojenler. |
| Tehlikeli Bozunma Ürünleri | Yüksek sıcaklıkta oksidasyon ile galyum oksit (Ga₂O₃) kararlıdır; asitlerle galyum tuzları. |
| Tehlikeli Polimerizasyon | Gerçekleşmez. |
| Higroskopiklik | Düşük. |
5.1. Kimyasal Reaksiyonlar
-
Asitler ile Reaksiyon:
Ga₂O₃ + 6HCl → 2GaCl₃ + 3H₂O
Ga₂O₃ + 6HNO₃ → 2Ga(NO₃)₃ + 3H₂O
Ga₂O₃ + 3H₂SO₄ → Ga₂(SO₄)₃ + 3H₂O -
Bazlar ile Reaksiyon:
Ga₂O₃ + 2NaOH + 3H₂O → 2Na[Ga(OH)₄] (amfoterik davranış) -
İndirgeme (Yüksek Sıcaklıkta):
Ga₂O₃ + 2H₂ → Ga₂O + 2H₂O
Ga₂O₃ + 3C → 2Ga + 3CO
6. UYGULAMA ALANLARI
6.1. Elektronik ve Güç Elektroniği
| Uygulama | Fonksiyon | Detaylar |
|---|---|---|
| Güç Transistörleri | Yüksek voltaj anahtarlama | β-Ga₂O₃ tabanlı cihazlar |
| Diyotlar | Doğrultma | Yüksek sıcaklık ve yüksek voltaj |
| Schottky Bariyer Diyotları | Hızlı anahtarlama | Güç elektroniği uygulamaları |
| Yarı İletken Malzeme | Geniş bant aralıklı yarı iletken | SiC ve GaN'a alternatif |
6.2. Optik ve Optoelektronik
| Uygulama | Fonksiyon | Detaylar |
|---|---|---|
| UV Optik Cihazlar | UV şeffaflık | Derin UV optikleri |
| Şeffaf Seramikler | Optik malzeme | Yüksek sıcaklık optikleri |
| Optoelektronik Cihazlar | Işık yayan ve algılayan | UV dedektörler, LED'ler |
| Gaz Sensörleri | Algılama | Yüksek hassasiyetli sensörler |
6.3. Seramik ve Kaplamalar
| Uygulama | Fonksiyon | Detaylar |
|---|---|---|
| Yüksek Performanslı Seramikler | Katkı maddesi | Mekanik ve termal özellikler |
| Termal Bariyer Kaplamalar | Isı yalıtımı | Yüksek sıcaklık uygulamaları |
| Koruyucu Kaplamalar | Oksidasyon direnci | Metal yüzeyler |
6.4. Katalizör Uygulamaları
| Uygulama | Fonksiyon | Detaylar |
|---|---|---|
| Organik Reaksiyonlar | Katalitik aktivite | Oksidasyon ve dehidrojenasyon |
| Petrokimya Katalizörü | Katalitik dönüşüm | Özel katalitik prosesler |
6.5. Araştırma ve İleri Malzemeler
| Uygulama | Fonksiyon | Detaylar |
|---|---|---|
| İnce Film ve Nanoyapılar | İleri malzeme bilimi | Epitaksiyel büyütme |
| Malzeme Bilimi Araştırmaları | Temel araştırma | Yeni malzeme geliştirme |
| Kuantum Malzeme Araştırmaları | Fizik araştırmaları | Topolojik malzemeler |
6.6. Sektörel Uygunluk Tablosu
| Sektör | Uygunluk | Açıklama |
|---|---|---|
| Elektronik | Uygun | Güç elektroniği, yarı iletkenler |
| Optik/Optoelektronik | Uygun | UV optikleri, şeffaf seramikler |
| Seramik | Uygun | Yüksek performanslı seramikler |
| Katalizör | Uygun | Organik reaksiyonlar |
| Araştırma | Uygun | İnce film, nanoyapı, malzeme bilimi |
| Gıda | Uygun Değil | Uygun değildir |
| Kozmetik | Uygun Değil | Uygun değildir |
7. ÜRETİM SÜRECİ
| Aşama | Proses | Açıklama |
|---|---|---|
| 1. Hammadde Hazırlama | Galyum metali veya galyum tuzları | Yüksek saflıkta galyum kaynakları |
| 2. Oksidasyon | Termal oksidasyon | Galyum metalinin havada ısıtılması |
| 3. Çöktürme | Kimyasal çöktürme | Galyum tuzlarının çöktürülmesi |
| 4. Kalsinasyon | Termal işlem | Oksit formuna dönüştürme (600-1000°C) |
| 5. Öğütme | Mekanik işlem | İstenen partikül boyutuna getirme |
| 6. Kalite Kontrol | Analiz ve testler | ICP-OES, XRD, BET yüzey alanı |
7.1. Başlıca Üretici Ülkeler
| Ülke | Açıklama |
|---|---|
| Çin | Başlıca üretici |
| Japonya | Yüksek saflık üretimi |
| ABD | Galyum üretimi |
| Almanya | Galyum rafinasyonu |
8. ALTERNATİF / MUADİL ÜRÜNLER
| Alternatif | Açıklama | Ne Zaman Kullanılır |
|---|---|---|
| Galyum Nitrat | Çözelti kimyası için | Sıvı formda galyum gerektiğinde |
| Galyum Klorür | Çözelti kimyası için | Sıvı formda galyum gerektiğinde |
| Silisyum Karbür (SiC) | Güç elektroniği | Daha yüksek termal iletkenlik gerektiğinde |
| Galyum Nitrür (GaN) | Güç elektroniği/optoelektronik | Farklı bant aralığı gerektiğinde |
| Alüminyum Oksit (Al₂O₃) | Seramik uygulamalar | Düşük maliyetli alternatif |
9. GÜVENLİK VE TOKSİKOLOJİ
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Akut Oral Toksisite (LD50, Sıçan) | > 2.000 mg/kg (düşük toksisite) |
| Dermal Toksisite | Düşük |
| Cilt Tahrişi | Hafif tahriş edici |
| Göz Tahrişi | Hafif ila orta tahriş edici |
| Soluma | İnce toz solunması solunum yolu tahrişine neden olabilir. |
| Karsinojenisite | Karsinojen olarak sınıflandırılmamıştır. |
| Mutajenisite | Mutajenik değil. |
| Kronik Etkiler | Galyum bileşiklerinin biyoyararlanımı düşüktür; uzun süreli maruziyette akciğer etkileri görülebilir. |
| Çevresel Tehlikeler | Sucul yaşam için düşük ila orta toksisite. |
9.1. GHS Sınıflandırması
| Tehlike Sınıfı | Kategori | H-İfadesi |
|---|---|---|
| Cilt Tahrişi | Kategori 2 | H315: Cilt tahrişine neden olur. |
| Göz Tahrişi | Kategori 2A | H319: Ciddi göz tahrişine neden olur. |
| Spesifik Hedef Organ Toksisitesi | Kategori 3 | H335: Solunum yolu tahrişine neden olabilir. |
Sinyal Kelimesi: UYARI
Tehlike Piktogramları: GHS07 (Ünlem İşareti)
10. ÖNLEM İFADELERİ (P-KODLARI)
| Kod | İfade |
|---|---|
| P261 | Tozu solumaktan kaçının. |
| P264 | Elle muameleden sonra iyice yıkayın. |
| P271 | Sadece iyi havalandırılan alanlarda kullanın. |
| P280 | Koruyucu eldiven/göz koruması/yüz koruması kullanın. |
| P302+P352 | CİLDE TEMAS EDERSE: Bol sabun ve su ile yıkayın. |
| P304+P340 | SOLUNURSA: Kişiyi temiz havaya çıkarın ve rahat nefes alması için uygun pozisyonda tutun. |
| P305+P351+P338 | GÖZE TEMAS EDERSE: Su ile birkaç dakika dikkatlice durulayın. Varsa kontakt lensleri çıkarın. |
| P337+P313 | Göz tahrişi devam ederse: Tıbbi yardım alın. |
| P501 | İçeriği/kabı yerel yönetmeliklere uygun olarak bertaraf edin. |
11. İLK YARDIM ÖNLEMLERİ
| Maruziyet Yolu | Yapılacak İşlem |
|---|---|
| Solunum | Temiz havaya çıkarın. Semptomlar devam ederse tıbbi yardım alın. |
| Cilt Teması | Bol sabun ve su ile yıkayın. Kirlenmiş giysileri çıkarın. Tahriş devam ederse tıbbi yardım alın. |
| Göz Teması | En az 15 dakika boyunca bol su ile durulayın. Kontakt lensleri çıkarın. Tahriş devam ederse tıbbi yardım alın. |
| Yutma | Ağzı çalkalayın. Bol su için. Büyük miktarda yutulduysa tıbbi yardım alın. |
12. DEPOLAMA VE RAF ÖMRÜ
| Parametre | Koşul |
|---|---|
| Depolama Koşulları | Serin, kuru ve iyi havalandırılmış alanda saklayın. Nemsiz ortam sağlayın. |
| Kap Gereksinimleri | Neme dayanıklı, sıkıca kapatılmış kaplar. |
| Sıcaklık | Oda sıcaklığı (15-25°C). |
| Raf Ömrü | Uygun koşullarda 24-36 ay. |
| Stabilite Notu | Normal koşullarda kararlıdır; nem ve CO₂ emilimini önlemek için kapalı ambalajda saklanmalıdır. |
13. AMBALAJ SEÇENEKLERİ
| Ambalaj Türü | Miktar | Malzeme |
|---|---|---|
| Laboratuvar Ambalajı | 5 g, 10 g, 25 g, 50 g, 100 g | HDPE şişe, alüminyum folyo torba |
| Endüstriyel Ambalaj | 25 kg | PE astarlı kraft torba, neme dayanıklı |
| Drum (Varil) | 25 kg, 50 kg | HDPE varil, neme dayanıklı |
| IBC (Orta Boy Dökme Konteyner) | 500 kg, 1000 kg | Neme dayanıklı, paletli |
14. TAŞIMA BİLGİLERİ
| Parametre | Bilgi |
|---|---|
| UN Numarası | Sınıflandırılmamıştır (metal oksitler için özel düzenlemeler geçerlidir) |
| Tehlike Sınıfı | - |
| Ambalaj Grubu | - |
| ADR/RID | Düzenlenmemiştir (toz formu için özel önlemler gerekebilir) |
| IMDG | Düzenlenmemiştir |
| IATA | Düzenlenmemiştir |
| HS Kodu / GTIP | 2825.90.00.00.00 (Diğer metal oksitler) |
15. DÜZENLEYİCİ DURUM
| Bölge / Otorite | Durum |
|---|---|
| Avrupa Birliği (REACH) | Kayıtlı |
| Türkiye (KKDIK) | Uyumluluk gereklidir |
| TSCA (ABD) | Kayıtlı |
| EINECS | 234-953-2 |
| Çin | Kayıtlı; başlıca üretim ve ihracat ülkesi |
16. DİĞER İSİMLER VE EŞ ANLAMLILAR
| İsim | Açıklama |
|---|---|
| Galyum Trioksit | Kimyasal adı |
| Galyum(III) Oksit | Kimyasal adı |
| Ga₂O₃ | Kimyasal kısaltma |
| β-Ga₂O₃ | Beta formu (en kararlı) |
| Galyum Oksit Tozu | Yaygın isim |
| Geniş Bant Aralıklı Oksit | Fonksiyonel tanım |
17. HIZLI BAŞVURU TABLOSU
| Özellik | Değer |
|---|---|
| CAS Numarası | 12024-21-4 |
| EC Numarası | 234-953-2 |
| Kimyasal Formül | Ga₂O₃ |
| Moleküler Ağırlık | 187.44 g/mol |
| Görünüm | Beyaz kristal toz |
| Yoğunluk | ~6.44 g/cm³ |
| Erime Noktası | ~1,725 °C |
| Bant Aralığı | ~4.9 eV |
| HS Kodu / GTIP | 2825.90.00.00.00 |
| GHS Sinyal Kelimesi | UYARI |
18. KRİTİK UYARILAR VE EN İYİ UYGULAMALAR
KRİTİK UYARILAR:
-
Geniş Bant Aralıklı Yarı İletken: β-Ga₂O₃, ~4.9 eV bant aralığı ile SiC (3.3 eV) ve GaN'den (3.4 eV) daha geniş bant aralığına sahiptir. Bu özellik, yüksek voltaj ve yüksek sıcaklık güç elektroniği uygulamaları için avantaj sağlar.
-
Yüksek Kritik Elektrik Alanı: β-Ga₂O₃, SiC ve GaN'den daha yüksek kritik elektrik alanına sahiptir (~8 MV/cm).
-
Optik Şeffaflık: UV ışığına karşı şeffaf olması, derin UV optoelektronik uygulamalar için değerlidir.
-
Amfoterik Davranış: Galyum oksit, hem asitlerle hem de bazlarla reaksiyona girer (amfoterik oksit).
-
Yüksek Saflık Gereksinimi: Elektronik ve optik uygulamalar yüksek saflık (>%99.9) gerektirir.
-
Toz Tehlikesi: İnce toz formu solunum yolu tahrişine neden olabilir. Toz kontrol önlemleri alınmalıdır.
EN İYİ UYGULAMA TAVSİYELERİ:
-
Depolama:
-
Serin, kuru ve iyi havalandırılmış alanda saklayın.
-
Neme dayanıklı, sıkıca kapatılmış kaplar kullanın.
-
Asitlerden ve oksitleyici maddelerden uzak tutun.
-
Oda sıcaklığında (15-25°C) saklayın.
-
-
Kullanım:
-
Yerel egzoz havalandırması olan iyi havalandırılmış alanlarda kullanın.
-
Toz maskesi (N95 veya daha iyisi), koruyucu gözlük ve eldiven kullanın.
-
Toz oluşumundan ve solunmasından kaçının.
-
Kullanımdan sonra ellerinizi iyice yıkayın.
-
Asitlerde çözmek için, soğutma ve karıştırma altında oksidi asite yavaşça ekleyin.
-
Epitaksiyel büyütme işlemlerinde vakum veya inert atmosfer kullanın.
-
-
Atık Yönetimi:
-
Yerel yönetmeliklere uygun olarak bertaraf edin.
-
Su kaynaklarına boşaltmayın.
-
Büyük miktarlar için galyum geri kazanımı değerlendirilmelidir (değerli metal).
-
YASAL UYARI
Bu Teknik Veri Sayfası (TDS) yalnızca bilgilendirme amaçlıdır ve mevcut teknik verilere dayanarak hazırlanmıştır. Kullanıcı, ürünün kendi spesifik uygulamaları için uygunluğunu belirleme ve tüm yerel, ulusal ve uluslararası düzenlemelere uyma konusunda tek başına sorumludur. Tam güvenlik, depolama, kullanım, nakliye, atık ve düzenleyici uyumluluk bilgileri için üretici/tedarikçi tarafından sağlanan resmi Güvenlik Bilgi Formu'na (SDS/MSDS) başvurulmalıdır. Bu belge profesyonel tavsiyenin yerini tutmaz. Galyum oksit, yeni nesil güç elektroniği ve optoelektronik uygulamalar için kritik bir malzemedir; yüksek saflık gereksinimleri nedeniyle dikkatli kullanım ve depolama gerektirir.
